[发明专利]掺杂的半导体纳米晶体、其制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201980092678.8 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113498405A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | T·阿克达斯;P·赖斯 | 申请（专利权）人： | 法国原子能源和替代能源委员会 |
| 主分类号： | C01B25/08 | 分类号： | C01B25/08;C09K11/70;H01L29/207;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 闫茂娟;郗名悦 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括半导体的纳米晶体组，所述半导体包括表示处于+III氧化态的金属或准金属的A和表示处于‑III氧化态的元素的B，所述纳米晶体，平均每个纳米晶体，被选自处于+I或+II氧化态的过渡金属的C原子掺杂。本发明还涉及其制备方法及其各种应用。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 半导体 纳米 晶体 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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