[发明专利]用于碳化硅电荷平衡功率器件中的终端的系统和方法在审
| 申请号： | 201980091836.8 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN113646897A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·戴利·阿瑟;列扎·甘迪;亚历山大·维克托罗维奇·博洛特尼科夫;戴维·阿兰·利林菲尔德;彼得·阿尔默恩·洛斯 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 脱颖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种碳化硅(SiC)电荷平衡(CB)器件(4)包括CB层(18A)，该CB层包括第一外延(epi)层(14A)。第一epi层的有源区域(6)包括第一导电类型的第一掺杂浓度和第二导电类型的第一多个CB区(34)。第一epi层的终端区域(10)包括第一导电类型的最小epi掺杂浓度。SiC‑CB器件还包括器件层(16)，该器件层包括设置在CB层上的第二epi层(14Z)。第二epi层的有源区域(6)包括第一导电类型的第一掺杂浓度。器件层(16)的终端区域(10)包括第一导电类型的最小epi掺杂浓度和第二导电类型的第一多个浮空区(68)，该第一多个浮空区形成器件的结终端(12Z)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 碳化硅 电荷 平衡 功率 器件 中的 终端 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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