[发明专利]一种半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201980090928.4 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN113424326A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 程凯;刘凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 秦卫中 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明所提供的半导体结构及其制备方法，在衬底层之上设置缓冲层，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，在第一缓冲层掺杂过渡金属可以形成深能级陷阱，捕获背景电子，此外还可以有效避免自由电子向衬底方向的扩散；第二缓冲层中降低过渡金属浓度或者不故意掺杂过渡金属，避免金属的拖尾效应，防止电流崩塌；在缓冲层中掺杂C，使得C作为受主杂质，补偿背景电子，减小背景浓度；同时选择n型杂质与过渡金属和C共掺杂主要是补偿/中和由于位错等缺陷引入的深能级，从而获得高晶体质量的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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