[发明专利]生长掺杂IV族材料的方法有效
| 申请号： | 201980078685.2 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN113243039B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 黄奕樵;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/02;H01L21/324;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文讨论了用于在半导体装置制造期间通过将基板浸泡在掺杂剂中而形成膜的方法。使用至少一种掺杂剂前驱物在处理腔室中执行掺杂剂浸泡达预定的时间段，以在基板上形成掺杂剂层。随后净化处理腔室中的至少一种掺杂剂前驱物。在净化处理腔室之后，将至少一种膜前驱物引入处理腔室中。在基板上外延形成膜，以具有目标电阻率、掺杂剂浓度和/或厚度的至少一者。后处理操作可包括对半导体膜进行退火或图案化，或在其上沉积附加层。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 掺杂 iv 材料 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
