[发明专利]制造半导体装置的方法、光吸收层叠体以及临时固定用层叠体在审
| 申请号： | 201980077968.5 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN113169038A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 西户圭祐;宫泽笑;大山恭之;川守崇司;赤须雄太;白坂敏明;铃木直也;早坂刚 | 申请（专利权）人： | 昭和电工材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;郭玫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开有一种制造半导体装置的方法，其依次具备：加工工序，对经由临时固定材料层而临时固定于支撑部件的半导体部件进行加工；以及分离工序，对临时固定用层叠体自支撑部件侧照射非相干光，由此将半导体部件自支撑部件分离。临时固定材料层的一部分或全部为吸收光而产生热的光吸收层。支撑部件相对于非相干光的透过率为90％以上。临时固定材料层相对于非相干光的透过率为3.1％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 光吸收 层叠 以及 临时 固定 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
