[发明专利]SiC半导体装置在审
| 申请号： | 201980054015.7 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN112567531A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 中野佑纪;上野真弥;春山沙和;川上泰宏;中泽成哉;久津间保德 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;B23K26/53;C30B29/36;H01L21/301;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;张默 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种SiC半导体装置，其包含SiC半导体层，上述SiC半导体层包含由六方晶构成的SiC单晶，并且上述SiC半导体层具有面向上述SiC单晶的c面且相对于上述c面具有倾斜的偏角的作为设备面的第一主面、上述第一主面的相反侧的第二主面、以及面向上述SiC单晶的a面且在将上述第一主面的法线设为0°时相对于上述法线具有小于上述偏角的角度的侧面。 | ||
| 搜索关键词： | sic 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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