[发明专利]SiC半导体装置

权利要求书

1.一种SiC半导体装置，其包含SiC半导体层，所述SiC半导体层包含由六方晶构成的SiC单晶，且所述SiC半导体层具有面向所述SiC单晶的c面且相对于所述c面具有倾斜的偏角的作为设备面的第一主面、所述第一主面的相反侧的第二主面、以及面向所述SiC单晶的a面且在将所述第一主面的法线设为0°时相对于所述法线具有小于所述偏角的角度的侧面。

2.一种SiC半导体装置，其包含SiC半导体层，所述SiC半导体层包含由六方晶构成的SiC单晶，且所述SiC半导体层具有面向所述SiC单晶的c面且相对于所述c面具有倾斜的偏角的作为设备面的第一主面、所述第一主面的相反侧的第二主面、以及面向所述SiC单晶的a面且具有从所述第一主面的法线朝向与所述SiC单晶的c轴相反侧的方向倾斜的倾斜部的侧面。

3.根据权利要求1或2所述的SiC半导体装置，所述SiC半导体层的所述侧面由解理面构成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的SiC半导体装置，所述SiC半导体层的所述第二主面由研磨面构成。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的SiC半导体装置，所述SiC半导体层具有40μm以上200μm以下的厚度。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的SiC半导体装置，进一步包含多层的改质层，多层的所述改质层在所述第一主面的法线方向上留有间隔地形成于所述SiC半导体层的所述侧面，且被改质为与所述SiC单晶不同的性质。

7.根据权利要求6所述的SiC半导体装置，多层的所述改质层分别以沿所述SiC单晶的m轴方向延伸的带状形成。

8.根据权利要求6或7所述的SiC半导体装置，多层的所述改质层在截面图中在所述SiC单晶的a轴方向上彼此偏离。

9.根据权利要求8所述的SiC半导体装置，在所述SiC单晶的a轴方向上，多层的所述改质层中位于最外方的所述改质层和位于最内方的所述改质层之间的距离小于tanθ乘以所述SiC半导体层的厚度而得的值，其中，θ为所述偏角。

10.根据权利要求6～9中任一项所述的SiC半导体装置，所述SiC半导体层的所述侧面具有以多层的所述改质层作为顶部或基部的隆起部。

11.根据权利要求6～10中任一项所述的SiC半导体装置，多层的所述改质层从所述SiC半导体层的所述第一主面向所述第二主面侧、与所述第一主面留有间隔地形成。

12.根据权利要求6～11中任一项所述的SiC半导体装置，多层的所述改质层从所述SiC半导体层的所述第二主面向所述第一主面侧、与所述第二主面留有间隔地形成。

13.根据权利要求6～12中任一项所述的SiC半导体装置，包含2层以上6层以下的所述改质层。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的SiC半导体装置，所述SiC半导体层具有面向所述SiC单晶的m面且沿所述法线延伸的第二侧面。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的SiC半导体装置，所述SiC单晶由2H-SiC六方单晶、4H-SiC单晶或6H-SiC单晶构成。

16.根据权利要求1～15中任一项所述的SiC半导体装置，所述偏角为大于0°且10°以下。

17.根据权利要求1～16中任一项所述的SiC半导体装置，所述偏角为大于0°且5°以下。

18.根据权利要求1～17中任一项所述的SiC半导体装置，所述偏角为大于0°且小于4°。