[发明专利]补偿室和工艺效应以改善修整工艺的关键尺寸变化在审
| 申请号： | 201980051428.X | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112534561A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 普尔凯特·阿加瓦尔;阿德里安·拉沃伊;拉维·库马尔;普鲁肖塔姆·库马尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/027;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种控制器包含存储器，其存储将累积值与相应的调整系数相关联的数据。所述累积值对应于在处理室内的表面上材料的累积，并且所述相应的调整系数对应于对提供至所述处理室的射频(RF)功率的控制参数的调整。累积计算模块被设置成计算第一累积值，所述第一累积值指出所述材料的累积量。RF功率控制模块被设置成：接收所述第一累积值；接收设定值功率和所述蚀刻步骤的持续时间中的至少一者；从所述存储器提取所存储的所述数据；基于所述第一累积值、所述设定值功率和所述蚀刻步骤的所述持续时间中的所述至少一者、以及所存储的所述数据来调整所述控制参数；以及根据所调整的所述控制参数来控制被提供至所述处理室的所述RF功率。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 工艺 效应 改善 修整 关键 尺寸 变化 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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