[发明专利]高密度等离子体增强化学气相沉积腔室在审
| 申请号： | 201980050508.3 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN112534557A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 元泰景;李永东;高建德;桑杰伊·D·雅达夫;崔寿永;苏希尔·安瓦尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H05H1/46;H01J37/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容涉及用于沉积腔室的喷头的方法和设备。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积腔室的喷头，所述喷头包括：多个穿孔砖，每个穿孔砖耦接于多个支撑构件中的一者或多者；和位于喷头内的多个电感耦合器，其中所述多个电感耦合器中的一个电感耦合器对应于所述多个穿孔砖中的一者，其中这些支撑构件将前驱物气体提供到在这些电感耦合器和这些穿孔砖之间形成的容积。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 等离子体 增强 化学 沉积 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
