[发明专利]高密度等离子体增强化学气相沉积腔室

权利要求书

1.一种等离子体沉积腔室，包括：

喷头，具有多个穿孔砖，每个穿孔砖耦接于多个支撑构件中的一者或多者；

多个介电板，这些介电板中的一者对应于这些穿孔砖中的一者；和

多个电感耦合器，其中所述多个电感耦合器中的一个电感耦合器对应于所述多个介电板中的一者，其中这些支撑构件将前驱物气体提供到在这些电感耦合器与这些穿孔砖之间形成的容积。

2.如权利要求1所述的腔室，其中所述多个支撑构件的每一者包括形成在所述支撑构件中的导管，用于使所述前驱物气体流动。

3.如权利要求1所述的腔室，其中所述多个支撑构件的每一者包括形成在所述支撑构件中的冷却剂通道，用于使冷却剂流动。

4.如权利要求1所述的腔室，进一步包括与这些电感耦合器的每一者相关联的介电板，所述介电板界定所述容积的一侧。

5.如权利要求1所述的腔室，其中所述多个穿孔砖和所述多个支撑构件的每一者包括界面部分。

6.如权利要求5所述的腔室，其中每个界面部分包括可移除条带。

7.如权利要求1所述的腔室，其中所述多个穿孔砖的一部分由穿孔条带分隔。

8.如权利要求7所述的腔室，其中每个穿孔条带通过界面部分耦接到所述多个支撑构件的支撑构件。

9.如权利要求8所述的腔室，其中每个界面部分包括可移除条带。

10.一种用于等离子体沉积腔室的喷头，所述喷头包括：

支撑构件，包括多个第一支撑表面和多个第二支撑表面，其中所述多个第一支撑表面设置成在第一方向中与所述多个第二支撑表面相距第一距离；

多个气体输送组件，包括多个穿孔砖和多个介电板，其中所述多个气体输送组件的每一者包括：

穿孔砖，设置在所述多个第一支撑表面中的第一支撑表面上；和

介电板，设置在所述多个第二支撑表面中的第二支撑表面上，

其中，在所述介电板的表面与所述穿孔砖的表面之间限定气体容积；

多个气体输送口，其中每个气体输送口配置成将气体输送到所述多个气体输送组件的气体容积；和

线圈，设置在所述喷头内的所述多个气体输送组件中的一者或多者上方。

11.如权利要求10所述的喷头，其中所述支撑构件包括形成在所述支撑构件中的导管，用于使所述前驱物气体流动。

12.如权利要求10所述的喷头，其中所述支撑构件包括形成在所述支撑构件中的冷却剂通道，用于使冷却剂流动。

13.如权利要求10所述的喷头，所述介电板界定所述气体容积的一侧。

14.如权利要求10所述的喷头，其中所述多个穿孔砖和所述支撑构件的每一者包括界面部分。

15.如权利要求14所述的喷头，其中每个界面部分包括可移除条带，并且其中所述多个穿孔砖的一部分由穿孔条带分隔。