[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201980039868.3 申请日: 2019-05-31
公开(公告)号: CN112368773A 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 山崎舜平;木村肇;宫口厚;及川欣聪 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G11C11/54 分类号: G11C11/54;G06N3/063;G11C11/405;G11C11/4074;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/786
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 刘倜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种可以实现低功耗并模仿人脑进行储存数据的半导体装置。该半导体装置包括控制部、存储部及传感器部。存储部包括存储电路和切换电路。存储电路包括第一晶体管及电容器。切换电路包括第二晶体管及第三晶体管。第一晶体管及第二晶体管包括在沟道形成区域包含氧化物半导体的半导体层和背栅电极。控制部具有根据在传感器部得到的信号而切换供应到背栅电极的信号的功能。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980039868.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top