[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

控制部；

存储部；以及

传感器部,

其中，所述存储部包括存储电路和切换电路，

所述存储电路包括第一晶体管及电容器，

所述切换电路包括第二晶体管及第三晶体管，

所述第一晶体管及所述第二晶体管包括在沟道形成区域中包含氧化物半导体的半导体层，

并且，所述控制部具有根据在所述传感器部得到的信号而切换供应到所述第一晶体管及所述第二晶体管的信号的功能。

2.一种半导体装置，包括：

控制部；

存储部；以及

传感器部，

其中，所述存储部包括存储电路和切换电路，

所述存储电路包括第一晶体管及电容器，

所述切换电路包括第二晶体管及第三晶体管，

所述第一晶体管及所述第二晶体管包括在沟道形成区域中包含氧化物半导体的半导体层和背栅电极，

并且，所述控制部具有根据在所述传感器部得到的信号而切换供应到所述背栅电极的信号的功能。

3.一种半导体装置，包括：

控制部；

存储部；以及

传感器部，

其中，所述存储部包括存储电路和切换电路，

所述存储电路包括第一晶体管及电容器，

所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述电容器的一个电极电连接，

所述切换电路包括第二晶体管及第三晶体管，

所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第三晶体管的栅极电连接，

所述第一晶体管及所述第二晶体管包括在沟道形成区域中包含氧化物半导体的半导体层和背栅电极，

并且，所述控制部具有根据在所述传感器部得到的信号而切换供应到所述背栅电极的信号的功能。

4.一种半导体装置，包括：

控制部；

存储部；以及

传感器部，

其中，所述存储部包括存储电路和切换电路，

所述存储电路包括第一晶体管及电容器，

所述切换电路包括第二晶体管及第三晶体管，

所述第一晶体管及所述第二晶体管包括在沟道形成区域中包含氧化物半导体的半导体层和栅电极，

并且，所述控制部具有根据在所述传感器部得到的信号而切换供应到所述栅电极的信号的功能。

5.一种半导体装置，包括：

控制部；

存储部；以及

传感器部，

其中，所述存储部包括存储电路和切换电路，

所述存储电路包括第一晶体管及电容器，

所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述电容器的一个电极电连接，

所述切换电路包括第二晶体管及第三晶体管，

所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第三晶体管的栅极电连接，

所述第一晶体管及所述第二晶体管包括在沟道形成区域中包含氧化物半导体的半导体层和栅电极，

并且，所述控制部具有根据在所述传感器部得到的信号而切换供应到所述栅电极的信号的功能。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，

其中所述存储电路包括第四晶体管，

并且所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第四晶体管的栅极电连接。