[发明专利]含有氧化物半导体层的薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201980030601.8 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN112088432A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 越智元隆;后藤裕史 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 日本兵库县神户市中央区脇浜海岸通*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管，其在维持高场效应迁移率的同时应力耐受性、尤其光应力耐受性优异。所述薄膜晶体管在基板上至少包括栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源极‑漏极电极、以及至少一层保护膜，并且构成氧化物半导体层的金属元素包含In、Ga、Zn及Sn，相对于氧化物半导体层中的全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的各金属元素的比例为：In：30原子％以上且45原子％以下、Ga：5原子％以上且未满20原子％、Zn：30原子％以上且60原子％以下、以及Sn：4.0原子％以上且未满9.0原子％。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 氧化物 半导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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