[发明专利]摄像单元、摄像装置有效
| 申请号： | 201980014400.9 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111742410B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 真弓和也 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/02;H01L23/08;H04N5/225;H04N5/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够防止成像元件芯片的翘曲并提高摄像画质的摄像单元和具备该摄像单元的摄像装置。所述摄像单元(50)具备固定有成像元件芯片(1)的具有第一线膨胀系数的包装体(2)和固定于包装体(2)的电路板(52)。电路板(52)包括具有第一线膨胀系数的导电层(51t～58t)和具有小于第一线膨胀系数且大于构成成像元件芯片(1)的半导体基板的线膨胀系数的第二线膨胀系数的绝缘层(51s～57s)。电路板(52)的背侧部分(B)的导电层的含有量多于电路板(52)的表侧部分(S)的导电层的含有量。 | ||
| 搜索关键词： | 摄像 单元 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
