[发明专利]摄像单元、摄像装置有效
| 申请号: | 201980014400.9 | 申请日: | 2019-02-21 |
| 公开(公告)号: | CN111742410B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
| 发明(设计)人: | 真弓和也 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/02;H01L23/08;H04N5/225;H04N5/335 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 摄像 单元 装置 | ||
本发明提供一种能够防止成像元件芯片的翘曲并提高摄像画质的摄像单元和具备该摄像单元的摄像装置。所述摄像单元(50)具备固定有成像元件芯片(1)的具有第一线膨胀系数的包装体(2)和固定于包装体(2)的电路板(52)。电路板(52)包括具有第一线膨胀系数的导电层(51t~58t)和具有小于第一线膨胀系数且大于构成成像元件芯片(1)的半导体基板的线膨胀系数的第二线膨胀系数的绝缘层(51s~57s)。电路板(52)的背侧部分(B)的导电层的含有量多于电路板(52)的表侧部分(S)的导电层的含有量。
技术领域
本发明涉及一种摄像单元和具备该摄像单元的摄像装置。
背景技术
随着CCD(Charge Coupled Device:电荷耦合元件)图像传感器或CMOS(Complementary Metal OXide Semiconductor:互补型金属氧化物半导体)图像传感器等成像元件的高分辨率化,数码相机、数码摄像机、智能手机等移动电话、平板终端或电子内窥镜等具有摄像功能的设备的需求正在剧增。另外,将如以上的具有摄像功能的设备称为摄像装置。
摄像装置具备摄像单元,该摄像单元包括作为半导体芯片的成像元件芯片、容纳该成像元件芯片的包装体及安装该包装体的电路板。
在专利文献1至3中公开有一种单元的结构,其包括半导体芯片、容纳该半导体芯片的包装体及安装该包装体的电路板。
以往技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-100704号公报
专利文献2:日本特开2001-127200号公报
专利文献3:日本特开2009-094168号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
在将容纳半导体芯片的包装体安装于电路板时,在利用焊锡将包装体与电路板电连接的工序中,单元被置于高温状态下。在结束该工序之后,若单元的温度下降,则由于单元的构成零件的线膨胀系数的差异而产生基于双金属效应的翘曲。
当半导体芯片为成像元件芯片时,由于基于双金属效应的翘曲而无法确保成像元件芯片的受光面的平坦性。如此,若受光面翘曲,则焦点在受光面的周边会发生偏离,对摄像画质产生影响。当成像元件芯片的尺寸大时,对基于双金属效应的翘曲的对策变得尤其重要。在专利文献1至3中,并没有意识到这样的成像元件芯片的翘曲的问题。
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供一种能够防止成像元件芯片的翘曲并提高摄像画质的摄像单元和具备该摄像单元的摄像装置。
用于解决技术课题的手段
本发明的摄像单元具备:成像元件芯片;固定部件,其固定有上述成像元件芯片且与上述成像元件芯片电连接,并且具有第一线膨胀系数;及电路板,其经由导电性部件固定于上述固定部件,上述电路板包括:第一部件,其具有上述第一线膨胀系数;及第二部件,其具有小于上述第一线膨胀系数且大于构成上述成像元件的半导体基板的线膨胀系数的第二线膨胀系数,将上述电路板的固定有上述固定部件的一侧的面设为第一面,将上述电路板的与上述第一面相反的一侧的面设为第二面,上述电路板中的上述第一面和上述第二面的中间与上述第二面之间的部分即背侧部分的上述第二部件的含有量多于上述电路板中的上述中间与上述第一面之间的部分即表侧部分的上述第二部件的含有量。
本发明的摄像装置具备上述摄像单元。
发明效果
根据本发明,可提供一种能够防止成像元件的翘曲并提高摄像画质的摄像单元和具备该摄像单元的摄像装置。
附图说明
图1是表示本发明的摄像装置的一实施方式的数码相机100的概略结构的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





