[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201980012856.1 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN111742395A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 砂本昌利;上野隆二;中村祥太郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;C23C18/20;C23C18/52;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体元件，其为在具有表侧电极及背侧电极的表背导通型基板的至少单侧的电极上依次形成有第一电极及非电解镀层的半导体元件，上述第一电极含有比形成上述电极的金属贵的元素，上述电极形成有上述第一电极，上述第一电极的面积比形成有上述第一电极的所述电极的面积小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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