[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201980005610.1 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111684605A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 黄敬源;邱汉钦;张铭宏;周春华;章晋汉 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体装置(1，2，3，4，5)，其包括衬底(100)、沟道层(120)、势垒层(130，130’)、闸极(140，140’)、应变层(170，210)及钝化层(180)。沟道层(120)设置于衬底(100)上。势垒层(130，130’)设置于沟道层(120)上。闸极(140，140’)设置于势垒层(130，130’)上。应变层(170，210)设置于势垒层(130，130’)上。钝化层(180)覆盖闸极(140，140’)及应变层(170，210)。钝化层(180)的材料与应变层(170，210)的材料不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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