[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980004216.6 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN111066149A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/07;H01L29/12;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，具备：半导体基板；晶体管部，其设置于半导体基板；以及二极管部，其设置于半导体基板，且沿着预先确定的排列方向与晶体管部排列，二极管部具有：第1导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第2导电型的基区，其与半导体基板的上表面接触，且设置于比漂移区靠近上方的位置；彼此分离的多个第1导电型的第1阴极区，其与半导体基板的下表面接触，且设置于比漂移区靠近下方的位置；第2阴极区，其与半导体基板的下表面接触，设置于比漂移区靠近下方的位置，且导电型与第1阴极区的导电型不同；以及多个第2导电型的浮置区，其在每个第1阴极区以彼此分离的方式设置，且与第1阴极区至少部分重叠地配置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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