[发明专利]键合的统一半导体芯片及其制造和操作方法在审
| 申请号： | 201980001586.4 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110546762A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;程卫华 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L27/108;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L21/60;G11C11/4063;G11C16/06 |
| 代理公司： | 11376 北京永新同创知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵磊;刘柳<国际申请>=PCT/CN20 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了键合的统一半导体芯片及其制造和操作方法的实施例。在示例中，统一半导体芯片包括第一半导体结构，其包括一个或多个处理器、嵌入式DRAM单元阵列以及包括多个第一键合触点的第一键合层。统一半导体芯片还包括第二半导体结构，该第二半导体结构包括NAND存储器单元阵列和第二键合层，该第二键合层包括多个第二键合触点。统一半导体芯片还包括第一键合层和第二键合层之间的键合界面。第一键合触点在键合界面处与第二键合触点接触。 | ||
| 搜索关键词： | 键合层 键合 半导体芯片 半导体结构 触点 键合界面 统一 嵌入式DRAM单元 触点接触 单元阵列 处理器 制造 | ||
【主权项】：
1.一种统一半导体芯片，包括/n第一半导体结构，其包括一个或多个处理器、嵌入式动态随机存取存储器(DRAM)单元阵列和第一键合层，所述第一键合层包括多个第一键合触点；/n第二半导体结构，其包括NAND存储器单元阵列和第二键合层，所述第二键合层包括多个第二键合触点；以及/n所述第一键合层与所述第二键合层之间的键合界面，其中，所述第一键合触点在所述键合界面处与所述第二键合触点接触。/n
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