[实用新型]辐射探测探头及芯片有效
申请号: | 201922285736.9 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN210692568U | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 钟华强 | 申请(专利权)人: | 广州兰泰胜辐射防护科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0296;H01L31/115;G01T1/15;G01T1/24 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 张彬彬 |
地址: | 510665 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种辐射探测探头及芯片,剂量率小于等于剂量限定值时,通过脉冲模式电路获取辐射探测探头的探测信号,其输出脉冲数与探测信号对应的X/γ光子数相同,通过外部处理器计算得到探测结果;而当剂量率大于剂量限定值,会超过脉冲模式电路计数率上限,此时采用电流模式电路,将测量到的电流转换为电压,通过外部处理器计算探测结果。基于此,在实现辐射探测设备的芯片化的同时,通过脉冲读出模式和电流读出模式协同工作,实现辐射探测芯片对X/γ辐射的宽量程探测。 | ||
搜索关键词: | 辐射 探测 探头 芯片 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的