[实用新型]一种具有TSV结构的MEMS芯片有效
| 申请号： | 201921987347.4 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN211004545U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 华亚平 | 申请（专利权）人： | 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 | 代理人： | 王琪 |
| 地址： | 233042*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型属于芯片封装的技术领域，公开了一种具有TSV结构的MEMS芯片，在盖板的深槽内壁上覆盖一层绝缘氧化层，使其成为氧化深槽，并在氧化深槽内充满深槽多晶硅，成为TSV结构，MEMS结构的电信号既可以通过第一键合金属块和TSV导电柱连接到顶层金属图形上，也可以通过第二键合金属块、金属导线和深槽多晶硅连接到顶层金属图形上，达到了一个TSV结构导通二路电信号的目的，MEMS芯片体积小，方便MEMS结构的设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 tsv 结构 mems 芯片 | ||
【主权项】：
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