[实用新型]一种硅片弯曲程度测量装置有效
申请号: | 201921690525.7 | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN210167376U | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 杨楠楠;金井升;徐冠群;张昕宇 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 田媛媛 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请公开了一种硅片弯曲程度测量装置,包括:底座;其中,底座的上表面上设置有用于固定两个贴合在一起的待测硅片的卡槽;设置在底座上的固定连杆;其中,固定连杆包括与卡槽相垂直的横杆、与横杆相连且固定在底座上的竖杆;可移动地安装在横杆上、用于测量固定在卡槽中的两个待测硅片形成的弯曲开口的尺寸的测量标尺。本申请公开的上述技术方案,通过测量标尺测量固定在卡槽中的两个待测硅片形成的弯曲开口的尺寸,以通过弯曲开口的尺寸得到待测硅片的弯曲程度,从而便于根据所掌握的弯曲程度对薄膜沉积工序和/或后续的自动化工序进行调整,进而便于提高最终所制备出的太阳能电池的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 弯曲 程度 测量 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的