[实用新型]一种硅片弯曲程度测量装置有效

专利信息
申请号: 201921690525.7 申请日: 2019-10-10
公开(公告)号: CN210167376U 公开(公告)日: 2020-03-20
发明(设计)人: 杨楠楠;金井升;徐冠群;张昕宇 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/66
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 田媛媛
地址: 314416 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请公开了一种硅片弯曲程度测量装置,包括:底座;其中,底座的上表面上设置有用于固定两个贴合在一起的待测硅片的卡槽;设置在底座上的固定连杆;其中,固定连杆包括与卡槽相垂直的横杆、与横杆相连且固定在底座上的竖杆;可移动地安装在横杆上、用于测量固定在卡槽中的两个待测硅片形成的弯曲开口的尺寸的测量标尺。本申请公开的上述技术方案,通过测量标尺测量固定在卡槽中的两个待测硅片形成的弯曲开口的尺寸,以通过弯曲开口的尺寸得到待测硅片的弯曲程度,从而便于根据所掌握的弯曲程度对薄膜沉积工序和/或后续的自动化工序进行调整,进而便于提高最终所制备出的太阳能电池的质量。
搜索关键词: 一种 硅片 弯曲 程度 测量 装置
【主权项】:
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