[实用新型]一种硅片弯曲程度测量装置有效
申请号: | 201921690525.7 | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN210167376U | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 杨楠楠;金井升;徐冠群;张昕宇 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 田媛媛 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 弯曲 程度 测量 装置 | ||
1.一种硅片弯曲程度测量装置,其特征在于,包括:
底座;其中,所述底座的上表面上设置有用于固定两个贴合在一起的待测硅片的卡槽;
设置在所述底座上的固定连杆;其中,所述固定连杆包括与所述卡槽相垂直的横杆、与所述横杆相连且固定在所述底座上的竖杆;
可移动地安装在所述横杆上、用于测量固定在所述卡槽中的两个所述待测硅片形成的弯曲开口的尺寸的测量标尺。
2.根据权利要求1所述的硅片弯曲程度测量装置,其特征在于,还包括:
可移动地设置在所述底座的上表面、用于在所述测量标尺测量所述弯曲开口的尺寸时贴合在所述待测硅片的表面,以对所述待测硅片进行固定的固定件。
3.根据权利要求2所述的硅片弯曲程度测量装置,其特征在于,所述固定件的长度大于等于所述卡槽的长度。
4.根据权利要求1所述的硅片弯曲程度测量装置,其特征在于,所述竖杆为可伸缩的连杆。
5.根据权利要求4所述的硅片弯曲程度测量装置,其特征在于,所述底座上设置有与所述竖杆相匹配的凹槽,所述竖杆通过所述凹槽固定在所述底座上。
6.根据权利要求1所述的硅片弯曲程度测量装置,其特征在于,所述底座上设置有多个所述卡槽。
7.根据权利要求6所述的硅片弯曲程度测量装置,其特征在于,所述卡槽的深度为1-5cm。
8.根据权利要求1所述的硅片弯曲程度测量装置,其特征在于,所述测量标尺套设在所述横杆上。
9.根据权利要求8所述的硅片弯曲程度测量装置,其特征在于,所述测量标尺为游标卡尺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的