[实用新型]掩模板组合、半导体器件有效

专利信息
申请号: 201921633831.7 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN210778544U 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 赖惠先;童宇诚;林昭维;朱家仪;吕前宏 申请(专利权)人: 福建省晋华集成电路有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/8242;H01L23/538;H01L27/108
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 王宏婧
地址: 362200 福建省泉州*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型提供了一种掩模板组合、半导体器件,通过本实用新型提供的掩模版组合,来定义接触插塞的形成位置,以使得核心区边界处的部分有源区的上方无接触插塞,而核心区边界处的其他有源区以及核心区内部的有源区的上方均有接触插塞,由此,后续再采用现有工艺在核心区的内部和边界处形成相应的电学结构时,使得核心区边界处的部分电学结构因其下方没有与有源区接触的接触插塞而变为虚拟结构,由此可以避免制造出来的半导体器件因核心区边界处的电学结构的问题而导致不能通过相关测试的问题,继而提高了制得的半导体器件的性能和合格率。
搜索关键词: 模板 组合 半导体器件
【主权项】:
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