[实用新型]具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET有效
| 申请号： | 201921350773.7 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN210429829U | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 钱振华;张艳旺 | 申请（专利权）人： | 无锡橙芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/06;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214063 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及属于半导体器件的制造技术领域，具体是一种具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET。具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET包括：半导体基板，所述半导体基板包括N型衬底和生长在N型衬底上的外延层，所述外延层包括下外延层和生长在所述下外延层上的上外延层，所述下外延层中设有P型浮岛区；所述上外延层中开设有沟槽，所述沟槽从第一主面向第二主面方向延伸；所述沟槽的上部为栅极区，沟槽的下部为屏蔽栅区，所述栅极区和屏蔽栅区之间隔离有氧化层；所述栅极区中设有栅极层和栅极氧化层；所述屏蔽栅区中设有屏蔽栅层和屏蔽栅氧化层；能够在获得高耐压时，由于采用低阻的下外延，所以又可以极大的降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 高压 屏蔽 mosfet | ||
【主权项】：
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