[实用新型]具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET有效
| 申请号： | 201921350773.7 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN210429829U | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 钱振华;张艳旺 | 申请（专利权）人： | 无锡橙芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/06;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214063 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 结构 高压 屏蔽 mosfet | ||
1.一种具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET，其特征在于，所述具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET包括：
半导体基板，所述半导体基板包括N型衬底（1）和生长在N型衬底（1）上的外延层，所述外延层包括下外延层（2）和生长在所述下外延层（2）上的上外延层（3），所述上外延层（3）的上表面为所述半导体基板的第一主面，N型衬底（1）的下表面为所述半导体基板的第二主面，所述下外延层（2）中设有P型浮岛区（4）；
所述上外延层（3）中开设有沟槽（5），所述沟槽（5）从第一主面向第二主面方向延伸；
所述沟槽（5）的上部为栅极区，沟槽（5）的下部为屏蔽栅区，所述栅极区和屏蔽栅区之间隔离有氧化层；所述栅极区中设有栅极层（511）和栅极氧化层（512）；所述屏蔽栅区中设有屏蔽栅层（521）和屏蔽栅氧化层（522）；
所述沟槽（5）两侧的上外延层（3）中设有P型体区（6），所述P型体区（6）上设有N型源极区（7），所述半导体基板的第一主面上设有绝缘介质层（8），所述绝缘介质层（8）中开设有接触孔（9），所述接触孔（9）的下端依次穿过N型源极区（7）和P型体区（6），所述接触孔（9）中填充有金属，所述绝缘介质层（8）上设有金属层（10），所述接触孔（9）中填充的金属将金属层（10）、N型源极区（7）和P型体区（6）连通。
2.如权利要求1所述的具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET，其特征在于，所述沟槽（5）的槽底伸入所述下外延层（2）中1~2μm。
3.如权利要求1所述的具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET，其特征在于，所述P型浮岛区（4）有多个，则多个P型浮岛区（4）在所述下外延层（2）中从下至上依次间隔设置。
4.如权利要求1所述的具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET，其特征在于，所述屏蔽栅氧化层（522）的厚度为：3000A~10000A。
5.如权利要求1所述的具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET，其特征在于，所述栅极氧化层（512）的厚度为：500A~1000A。
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