[实用新型]具有氢退火TCO导电膜的异质结电池结构有效
申请号: | 201921303882.3 | 申请日: | 2019-08-13 |
公开(公告)号: | CN210156405U | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 郭小勇;易治凯;王永谦 | 申请(专利权)人: | 江苏爱康能源研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙) 32309 | 代理人: | 隋玲玲 |
地址: | 215600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用涉及的一种具有氢退火TCO导电膜的异质结电池结构,它包括硅衬底(1),所述硅衬底(1)的双面均设有非晶硅本征层(2),所述非晶硅本征层(2)的外侧均设有非晶硅掺杂层(3),所述非晶硅掺杂层(3)的外侧均设有TCO导电膜(4);其特征在于:所述TCO导电膜(4)外侧经氢退火处理形成退火层(6),所述退火层(6)的外侧均设有若干Ag电极(5)。本实用可以有效解决低温制备TCO薄膜的透过率与电导率相矛盾的问题,使TCO导电膜获得较优的透过率及电导率,从而提升HJT太阳能电池的光电性能。 | ||
搜索关键词: | 具有 退火 tco 导电 异质结 电池 结构 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的