[实用新型]掩膜结构和存储器有效
| 申请号： | 201920955059.4 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN210272255U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种掩膜结构和一种存储器，所述掩膜结构包括：依次堆叠的第一掩膜层、第一缓冲层以及位于所述第一缓冲层表面的第一侧墙；相邻所述第一侧墙两侧之间的刻蚀图形沿第一方向延伸，且深度均相同；覆盖所述第一掩膜层、所述第一缓冲层和所述第一侧墙并填充满所述第一刻蚀图形的第三掩膜层；位于所述第三掩膜层表面的第二缓冲层以及位于所述第二缓冲层表面的第二侧墙，相邻所述第二侧墙之间的刻蚀图形沿第二方向延伸，且深度均相同。所述掩膜结构用于形成尺寸深度相同的孔。 | ||
| 搜索关键词： | 膜结构 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920955059.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种FRP筋锚具系统蠕变试验装置
- 下一篇：一种光学元件的异形面抛光结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
