[实用新型]掩膜结构和存储器

权利要求书

1.一种掩膜结构，其特征在于，包括：

依次堆叠的第一掩膜层、第一缓冲层以及位于所述第一缓冲层表面的第一侧墙；

相邻所述第一侧墙两侧之间的刻蚀图形沿第一方向延伸，且深度均相同；

覆盖所述第一掩膜层、所述第一缓冲层和所述第一侧墙并填充满所述刻蚀图形的第三掩膜层；

位于所述第三掩膜层表面的第二缓冲层以及位于所述第二缓冲层表面的第二侧墙，相邻所述第二侧墙之间的刻蚀图形沿第二方向延伸，且深度均相同。

2.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，所述第一缓冲层包括多晶硅层、碳化硅层以及锗硅层中的至少一层，所述第二缓冲层包括多晶硅层、碳化硅层以及锗硅层中的至少一层。

3.根据权利要求1所述的掩膜结构，其特征在于，所述第一掩膜层和所述第三掩膜层均包括有机掩膜层和硬掩膜层。

4.根据权利要求3所述的掩膜结构，其特征在于，所述第三掩膜层的所述有机掩膜层覆盖所述第一掩膜层并填充满相邻所述第一侧墙之间的刻蚀图形，且与所述第一侧墙的顶部表面齐平。

5.一种掩膜结构，其特征在于，包括：

第一掩膜层；

位于所述第一掩膜层表面的第一侧墙；

相邻所述第一侧墙之间的刻蚀图形沿第一方向延伸，且深度均相同；

覆盖所述第一掩膜层和所述第一侧墙并填充满相邻所述第一侧墙之间的刻蚀图形的第三掩膜层；

位于所述第三掩膜层表面的第二侧墙，相邻所述第二侧墙之间的刻蚀图形沿第二方向延伸，且深度均相同。

6.根据权利要求5所述的掩膜结构，其特征在于，所述第一掩膜层和所述第三掩膜层均包括有机掩膜层和硬掩膜层。

7.根据权利要求5所述的掩膜结构，其特征在于，所述第一侧墙和所述第一掩膜层的刻蚀选择比大于5；所述第二侧墙与所述第三掩膜层的刻蚀选择比大于5。

8.一种存储器，其特征在于，包括：

基底，所述基底内形成有若干沿第一方向、第二方向阵列排布的电容孔，所述电容孔通过以权利要求1至7中任一项所述的掩膜结构为掩膜刻蚀所述基底而形成；

所有所述电容孔的尺寸均相同。

9.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述基底包括衬底和位于所述衬底表面的叠层结构，所述叠层结构包括交替层叠的牺牲层和支撑层；所述电容孔贯穿所述叠层结构。