[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 201920780532.X | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN210006753U | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 汪琼;曾颀尧;冷鑫钰;纪秉夆;邢琨;陈柏松 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 明霖;李双皓 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种发光二极管。该发光二极管包括层叠设置的铝氮化铟层、氮化硅层和第二N型氮化镓层。由于氮化硅层成网状结构，因此，层叠于氮化硅层上的第二N型氮化镓层即可通过该网状结构沿发光二极管的层叠方向生长，从而实现第二N型氮化镓层的三维生长。又由于铝氮化铟层的晶格与第一N型氮化镓层和第二N型氮化镓层的晶格相近因此，铝氮化铟层、氮化硅层与第二N型氮化镓层相配合，可以增强所述N型层传导电子的能力，进而增强所述发光二极管的发光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 氮化硅层 氮化铟层 网状结构 晶格 本实用新型 层叠方向 层叠设置 发光效果 生长 传导 三维 配合 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：/n衬底(100)；/n第一U型氮化镓层(200)，覆盖所述衬底(100)；/n第一N型氮化镓层(300)，覆盖所述第一U型氮化镓层(200)；/nN型层(400)，覆盖所述第一N型氮化镓层(300)，所述N型层(400)包括层叠设置的铝氮化铟层(412)、氮化硅层(414)和第二N型氮化镓层(416)，所述氮化硅层(414)覆盖所述铝氮化铟层(412)，所述第二N型氮化镓层(416)覆盖所述氮化硅层(414)；/n多量子阱结构层(500)，覆盖所述N型层(400)；/nP型半导体层(600)，覆盖所述多量子阱结构层(500)。/n
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