[实用新型]发光二极管

说明书

本实用新型涉及一种发光二极管。该发光二极管包括层叠设置的铝氮化铟层、氮化硅层和第二N型氮化镓层。由于氮化硅层成网状结构，因此，层叠于氮化硅层上的第二N型氮化镓层即可通过该网状结构沿发光二极管的层叠方向生长，从而实现第二N型氮化镓层的三维生长。又由于铝氮化铟层的晶格与第一N型氮化镓层和第二N型氮化镓层的晶格相近因此，铝氮化铟层、氮化硅层与第二N型氮化镓层相配合，可以增强所述N型层传导电子的能力，进而增强所述发光二极管的发光效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种发光二极管。

背景技术

发光二极管(LED，Light Emitting Diode)是一种能发光的固态半导体器件，被广泛应用于指示灯和显示屏等照明发光领域。

传统技术中，发光二极管的核心一般为PN结。在电场作用下，构成PN结的P型层中的空穴和构成PN结的N型层中的电子复合形成可见光。

申请人在实现传统技术的过程中发现：传统的发光二极管，其发光效率较差。

实用新型内容

基于此，有必要针对传统技术中存在的发光二极管的发光效率差的问题，提供一种发光二极管。

一种发光二极管，包括：

衬底；

第一U型氮化镓层，覆盖所述衬底；

第一N型氮化镓层，覆盖所述第一U型氮化镓层；

N型层，覆盖所述第一N型氮化镓层，所述N型层包括层叠铝氮化铟层、氮化硅层和第二N型氮化镓层，所述氮化硅层覆盖所述铝氮化铟层，所述第二N型氮化镓层覆盖所述氮化硅层；

多量子阱结构层，覆盖所述N型层；

P型半导体层，覆盖所述多量子阱结构层。

上述发光二极管，由于氮化硅层成网状结构，因此，层叠于氮化硅层上的第二N型氮化镓层即可通过该网状结构沿发光二极管的层叠方向生长，从而实现第二N型氮化镓层的三维生长。又由于铝氮化铟层的晶格与第一N型氮化镓层和第二N型氮化镓层的晶格相近因此，铝氮化铟层、氮化硅层与第二N型氮化镓层相配合，可以增强所述N型层传导电子的能力，进而增强所述发光二极管的发光效果。

附图说明

图1为本申请一个实施例中发光二极管形成方法的流程示意图。

图2为本申请一个实施例中发光二极管的层级结构示意图。

图3为本申请一个实施例中N型层的形成流程示意图。

图4为本申请另一个实施例中发光二极管形成方法的流程示意图。

图5为本申请另一个实施例中发光二极管的层级结构示意图。

图6为本申请又一个实施例中发光二极管形成方法的流程示意图。

图7为本申请又一个实施例中发光二极管的层级结构示意图。

图8为本申请一个实施例中多量子阱结构层的形成流程示意图。

其中，各附图标号所代表的含义分别为：

10、发光二极管；

100、衬底；

102、第一表面；

104、第二表面；

200、第一U型氮化镓层；

300、第一N型氮化镓层；

400、N型层；

412、铝氮化铟层；