[实用新型]半导体模块有效
| 申请号： | 201920671759.0 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN209785938U | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 小林邦雄 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L29/78;H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种栅极电压的振荡得到了抑制的半导体模块。在提供的半导体模块中，晶体管元件具备半导体基板、设置于半导体基板上的层间绝缘膜、以及设置于层间绝缘膜上的发射电极，半导体基板具有第一沟槽部以及至少一部分在正面露出并被第一沟槽部包围的第一导电型的浮置半导体区，层间绝缘膜具有用于将发射电极与浮置半导体区电连接的多个开口，晶体管元件具有10Ω以上的内置栅极电阻，半导体基板具有100μm以上且130μm以下的厚度，续流二极管元件具有SiC的肖特基势垒二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基板 层间绝缘膜 半导体模块 晶体管元件 发射电极 沟槽部 浮置 肖特基势垒二极管 半导体区电 本实用新型 续流二极管 半导体区 栅极电压 栅极电阻 导电型 振荡 内置 开口 包围 | ||
【主权项】：
1.一种半导体模块，其是具备晶体管元件和续流二极管元件的半导体模块，其特征在于，所述晶体管元件具备：/n半导体基板；/n层间绝缘膜，其设置于所述半导体基板上；以及/n发射电极，其设置于所述层间绝缘膜上，/n所述半导体基板具有：/n第一沟槽部，其从所述半导体基板的正面设置到预定的深度，并且在俯视所述半导体基板时包括长边部分和短边部分；以及/n第一导电型的浮置半导体区，其至少一部分在所述正面露出，并被所述第一沟槽部包围，/n所述层间绝缘膜具有用于将所述发射电极与所述浮置半导体区电连接的多个开口，/n所述晶体管元件具有10Ω以上的内置栅极电阻，/n所述半导体基板具有100μm以上且130μm以下的厚度，/n所述续流二极管元件具有SiC的肖特基势垒二极管。/n
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