[实用新型]一种功率器件芯片封装结构有效
| 申请号： | 201920472148.3 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN209496815U | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 夏国峰;尤显平;刘动景 | 申请（专利权）人： | 重庆三峡学院;夏国峰 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/488 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 404020 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率器件芯片封装结构，属于微电子封装技术领域。在本实用新型的功率器件芯片封装结构中，功率器件芯片通过无压烧结第一纳米银焊料层和第二纳米银焊料层键合连接到基板上，第一纳米银焊料层与第二纳米银焊料层之间配置有导热薄片。采用环氧树脂塑封料包覆密封形成封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 功率器件芯片 封装结构 焊料层 纳米银 本实用新型 环氧树脂 微电子封装技术 导热薄片 键合连接 无压烧结 塑封料 包覆 基板 密封 配置 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件芯片封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：功率器件芯片，基板、第一阻挡层、第一粘接层、第二阻挡层、第二粘接层、第一纳米银焊膏层、导热薄片、第二纳米银焊膏层、环氧树脂塑封料；所述功率器件芯片通过无压烧结所述第一纳米银焊料层和第二纳米银焊料层键合连接到所述基板上；所述第一纳米银焊料层与第二纳米银焊料层之间配置有所述导热薄片；所述功率器件芯片与所述第二纳米银焊料层之间依次配置有所述第一阻挡层和第一粘接层；所述基板与所述第一纳米银焊料层之间依次配置有所述第二阻挡层和第二粘接层；所述环氧树脂塑封料包覆密封形成封装结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
