[实用新型]一种带缓冲单元的薄膜体声波谐振器有效
| 申请号： | 201920445209.7 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN209517074U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 嘉兴宏蓝电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03D9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) 11226 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 314200 浙江省嘉兴市平湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造技术领域，公开了一种带缓冲单元的薄膜体声波谐振器，该谐振器包括硅基片和覆盖在硅基片上的压电三明治结构，压电三明治结构自上而下包括顶电极、压电薄膜层和底电极，其中顶电极、压电薄膜层、底电极依次堆叠，且顶电极、压电薄膜层、底电极层面积逐层增大，底电极的至少一个边缘设置缓冲单元，缓冲单元为倒圆或倒角结构。上述薄膜体声波谐振器通过将底电极的边缘设置缓冲单元以使底电极的顶面与底面的高度差平缓，缓解传统的直角边缘高度差较大对压电薄膜性能造成的影响，避免出现裂纹等情况，大大提高谐振器的性能与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲单元 底电极 薄膜体声波谐振器 压电薄膜层 顶电极 三明治结构 边缘设置 高度差 硅基片 谐振器 压电 半导体制造技术 本实用新型 倒角结构 底电极层 压电薄膜 直角边缘 传统的 倒圆 顶面 堆叠 缓解 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种带缓冲单元的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器包括硅基片和覆盖在所述硅基片上的压电三明治结构，所述压电三明治结构自上而下包括顶电极、压电薄膜层和底电极，其中所述顶电极、所述压电薄膜层和所述底电极依次堆叠，且所述顶电极、所述压电薄膜层和所述底电极层面积逐层增大，所述底电极的至少一个边缘设置缓冲单元，所述缓冲单元为倒圆或倒角。
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