[实用新型]双面电容结构、DRAM存储器有效
| 申请号： | 201920417004.8 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN209496851U | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种双面电容结构、DRAM存储器，其中所述双面电容结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的导电支撑层，所述导电支撑层中具有若干电容孔，所述电容孔之间的导电支撑层作为双面电容的上电极的一部分；位于所述电容孔侧壁表面的第一电容介质层，位于所述第一电容介质层侧壁表面的下电极层，位于所述下电极层的侧壁和顶部表面以及下电极层之间的电容孔底部表面的第二电容介质层，所述下电极层顶部表面的第二电容介质层与第一电容介质层接触；位于所述第二电容介质层上填充电容孔的上电极导电层，所述上电极导电层与电容孔之间的导电支撑层连接作为上电极层。所述双面电容结构能防止导电支撑层中形成的电容孔产生锥形形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 电容介质层 导电支撑层 电容结构 下电极层 电极导电层 顶部表面 衬底 半导体 形貌 侧壁表面 底部表面 电极层 孔侧壁 电极 侧壁 填充 | ||
【主权项】：
1.一种双面电容结构，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的导电支撑层，所述导电支撑层中具有若干电容孔，所述电容孔之间的导电支撑层作为双面电容的上电极的一部分；位于所述电容孔侧壁表面的第一电容介质层，位于所述第一电容介质层侧壁表面的下电极层，位于所述下电极层的侧壁和顶部表面以及下电极层之间的电容孔底部表面的第二电容介质层，所述下电极层顶部表面的第二电容介质层与第一电容介质层接触；位于所述第二电容介质层上填充电容孔的上电极导电层，所述上电极导电层与电容孔之间的导电支撑层连接作为上电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
