[实用新型]双面电容结构、DRAM存储器

说明书

一种双面电容结构、DRAM存储器，其中所述双面电容结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的导电支撑层，所述导电支撑层中具有若干电容孔，所述电容孔之间的导电支撑层作为双面电容的上电极的一部分；位于所述电容孔侧壁表面的第一电容介质层，位于所述第一电容介质层侧壁表面的下电极层，位于所述下电极层的侧壁和顶部表面以及下电极层之间的电容孔底部表面的第二电容介质层，所述下电极层顶部表面的第二电容介质层与第一电容介质层接触；位于所述第二电容介质层上填充电容孔的上电极导电层，所述上电极导电层与电容孔之间的导电支撑层连接作为上电极层。所述双面电容结构能防止导电支撑层中形成的电容孔产生锥形形貌。

技术领域

本实用新型涉及存储器制作领域，尤其涉及一种双面电容结构、DRAM存储器。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

随着制程工艺持续演进，DRAM集成度不断提高，元件尺寸不断地微缩，电容器储存电荷容量也面临考验。现有的动态随机存储器中的电容器多为单面电容器结构，严重限制了单位面积内电容值的提高，所述单面器结构包括下电极层、上电极层、位于上电极层和下电极层之间的电容介质层。

为了进一步提高电容器的储存电荷，一种增加电极层表面积的双面电容器结构日益受到重视。现有技术提供了一种双面电容器结构形成方法，包括：在半导体衬底上形成氧化硅牺牲层和位于氧化硅牺牲层之上的支撑层；刻蚀支撑层和氧化硅牺牲层，在氧化硅牺牲层中形成若干电容孔；在电容孔的内壁上形成一电极层；去除电容孔之间的氧化硅牺牲层，在去除氧化硅牺牲层的位置和电容孔中填充电容介质层，若干电极层形成复数个双面电容。

现有技术形成的双面电容性能仍有待提升，并且工艺复杂。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是怎样提高双面电容的性能，简化制作工艺

本实用新型提供了一种双面电容结构，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的导电支撑层，所述导电支撑层中具有若干电容孔，所述电容孔之间的导电支撑层作为双面电容的上电极的一部分；

位于所述电容孔侧壁表面的第一电容介质层，位于所述第一电容介质层侧壁表面的下电极层，位于所述下电极层的侧壁和顶部表面以及下电极层之间的电容孔底部表面的第二电容介质层，所述下电极层顶部表面的第二电容介质层与第一电容介质层接触；位于所述第二电容介质层上填充电容孔的上电极导电层，所述上电极导电层与电容孔之间的导电支撑层连接作为上电极层。

可选的，所述导电支撑层材料为导电聚合物材料、掺杂的半导体材料或导电的非结晶材料。

可选的，所述导电聚合物材料中包括碳原子、硅原子或钛原子中的一种或几种。

可选的，所述导电聚合物为含导电碳主链聚合物、含烃硅酸盐主链聚合物、含烃硅酸盐主链聚合物或者含导电碳主链聚合物与含烃硅酸盐主链聚合物的组合。

可选的，掺杂的半导体材料掺杂有硼、硅、砷、硒、碲中的一种或几种。

可选的，所述半导体衬底上还具有若干分离的下电极接触点，相邻下电极接触点之间通过块状绝缘结构隔离。

可选的，所述电容孔的位置与下电极接触点的位置对应，每个电容孔底部暴露出对应的下电极接触点表面；所述下电极层与下电极接触点连接。

本实用新型还提供了一种DRAM存储器，包括：