[实用新型]IPM模块的先进封装结构有效
| 申请号： | 201920319515.6 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN209708965U | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 鲍婕;许媛;徐鳌;刘岩;杨蕊;韩亮亮 | 申请（专利权）人： | 黄山学院 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/488;H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 32293 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人： | 韩凤<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 245041 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种大功率IPM模块的先进封装结构，其包括IGBT芯片、快速恢复二极管芯片、铜填充硅通孔驱动芯片、覆铜陶瓷基板、缓冲层、焊料层、焊球、塑封外壳、封装树脂、导热硅脂以及散热器。其中采用铜填充硅通孔驱动芯片，以三维堆叠的先进封装形式，替换掉芯片之间以及芯片到基板的键合引线，从而提升模块可靠性；同时采用上下双基板的散热结构，提高大功率IPM模块的散热能力，降低芯片工作时的最高温度，从而提升模块的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动芯片 提升模块 先进封装 芯片 硅通孔 铜填充 散热器 快速恢复二极管芯片 覆铜陶瓷基板 本实用新型 导热硅脂 封装树脂 键合引线 三维堆叠 散热结构 散热能力 使用寿命 塑封外壳 焊料层 缓冲层 双基板 焊球 基板 替换 | ||
【主权项】：
1.一种IPM模块的先进封装结构，包括两套倒装在一起的基板结构以及铜填充硅通孔驱动芯片(29)，其特征在于，下部的基板结构包括：第一覆铜陶瓷基板上铜层(16)、第一覆铜陶瓷基板陶瓷层(17)、第一覆铜陶瓷基板下铜层(18)，上部倒装的基板结构包括：第二覆铜陶瓷基板上铜层(19)、第二覆铜陶瓷基板陶瓷层(21)、第二覆铜陶瓷基板下铜层(22)；/n所述铜填充硅通孔驱动芯片(29)的下表面通过第一焊球组(31)连接到第一覆铜陶瓷基板上铜层(16)上表面；铜填充硅通孔驱动芯片(29)的上表面通过第二焊球组(30)连接到第二覆铜陶瓷基板上铜层(19)上表面；/n所述第一覆铜陶瓷基板上铜层(16)下表面连接第一覆铜陶瓷基板陶瓷层(17)，第一覆铜陶瓷基板陶瓷层(17)下表面与第一覆铜陶瓷基板下铜层(18)上表面相连接；/n所述第二覆铜陶瓷基板上铜层(19)下表面连接第二覆铜陶瓷基板陶瓷层(21)，第二覆铜陶瓷基板陶瓷层(21)下表面与第二覆铜陶瓷基板下铜层(22)上表面相连接。/n
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