[实用新型]晶圆处理装置有效
| 申请号： | 201920232301.5 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN209496845U | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王昕昀;曹紫然;贾中宇;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供的晶圆处理装置，包括反应腔室，还包括：基座，位于所述反应腔室内，用于承载晶圆；至少一组凹槽，位于所述基座表面，每组凹槽包括关于所述基座的中心对称分布的两个凹槽；多条第一管道，与多个所述凹槽一一连通，且延伸至所述反应腔室外部；第二管道，与所述反应腔室连通，用于向所述反应腔室通入气体；多个压力计，位于所述反应腔室外部，且与多条所述第一管道一一连通，所述压力计用于检测与其连通的所述凹槽内的气体压力。本实用新型能够及时了解晶圆在反应腔室内的位置是否发生了偏移，提高了晶圆的生产效率，减少了晶圆返工及报废的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 反应腔 晶圆 连通 反应腔室 晶圆处理装置 本实用新型 第一管道 室外部 压力计 室内 中心对称分布 第二管道 基座表面 气体压力 生产效率 偏移 返工 报废 承载 概率 检测 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆处理装置，包括反应腔室，其特征在于，还包括：基座，位于所述反应腔室内，用于承载晶圆；至少一组凹槽，位于所述基座表面，每组凹槽包括关于所述基座的中心对称分布的两个凹槽；多条第一管道，与多个所述凹槽一一连通，且延伸至所述反应腔室外部；第二管道，与所述反应腔室连通，用于向所述反应腔室通入气体；多个压力计，位于所述反应腔室外部，且与多条所述第一管道一一连通，所述压力计用于检测与其连通的所述凹槽内的气体压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
