[实用新型]晶圆处理装置

说明书

本实用新型提供的晶圆处理装置，包括反应腔室，还包括：基座，位于所述反应腔室内，用于承载晶圆；至少一组凹槽，位于所述基座表面，每组凹槽包括关于所述基座的中心对称分布的两个凹槽；多条第一管道，与多个所述凹槽一一连通，且延伸至所述反应腔室外部；第二管道，与所述反应腔室连通，用于向所述反应腔室通入气体；多个压力计，位于所述反应腔室外部，且与多条所述第一管道一一连通，所述压力计用于检测与其连通的所述凹槽内的气体压力。本实用新型能够及时了解晶圆在反应腔室内的位置是否发生了偏移，提高了晶圆的生产效率，减少了晶圆返工及报废的概率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置。

背景技术

随着智能手机、平板电脑等移动终端向小型化、智能化、节能化的方向发展，芯片的高性能、集成化趋势明显，促使芯片制造企业积极采用先进工艺，对制造出更快、更省电的芯片的追求愈演愈烈。尤其是许多无线通讯设备的主要元件需用40nm以下先进半导体技术和工艺，因此对先进工艺产能的需求较之以往显著上升，带动集成电路厂商不断提升工艺技术水平，通过缩小晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸以提高芯片性能和可靠性，以及通过3D结构改造等非几何工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能等方式实现硅集成的提高，以迎合市场需求。然而，这些技术的革新或改进都是以晶圆的生成、制造为基础。

在半导体的制造工艺中，为了设置分立器件和集成电路，需要在晶圆表面沉积不同的膜层。现有的膜层沉积方法包括化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积等。

在现有的半导体加工制造过程中，经常会出现晶圆进入膜层沉积装置的腔体后位置发生偏移的情况。一旦晶圆在腔体内部的位置发生偏移，晶圆表面沉积的膜层在膜厚、膜层均匀性等相关参数会出现异常，进而需要重新进行膜层沉积工艺甚至是直接导致晶圆的报废。然而，现有的膜层沉积装置内并没有侦测晶圆位置的结构，因此，晶圆在腔体内的位置是否发生偏移要等到膜层沉积工艺结束之后，通过检测沉积膜层的相关参数才能得到，严重影响晶圆产品的生产效率以及生产成本。

因此，如何快速、准确的检测晶圆在反应腔室内的位置，及早确定晶圆在反应腔室内的位置是否发生偏移，以确保半导体的产效率，是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种晶圆处理装置，用于解决现有技术中不能及早发现晶圆在反应腔室内的位置异常问题，以提高半导体的生产效率。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种晶圆处理装置，包括反应腔室，还包括：

基座，位于所述反应腔室内，用于承载晶圆；

至少一组凹槽，位于所述基座表面，每组凹槽包括关于所述基座的中心对称分布的两个凹槽；

多条第一管道，与多个所述凹槽一一连通，且延伸至所述反应腔室外部；

第二管道，与所述反应腔室连通，用于向所述反应腔室通入气体；

多个压力计，位于所述反应腔室外部，且与多条所述第一管道一一连通，所述压力计用于检测与其连通的所述凹槽内的气体压力。

优选的，所述基座表面仅具有一组凹槽。

优选的，所述基座表面具有两组凹槽。

优选的，所述基座包括底座以及凸设于所述底座表面的承载部；所述承载部用于承载晶圆；所述凹槽位于所述底座的边缘，且沿所述底座的径向方向延伸，所述承载部沿竖直方向上的投影位于多个所述凹槽围绕而成的区域内。

优选的，所述凹槽的宽度为0.2mm～1.5mm、长度为0.3cm～1cm。

优选的，还包括与多个所述凹槽一一对应的多个遮挡组件；所述遮挡组件包括沿竖直方向延伸的支撑柱以及与所述支撑柱连接的盖板，所述盖板能够围绕所述支撑柱在预设范围内转动，以完全遮盖所述凹槽。