[实用新型]晶圆处理装置有效
申请号: | 201920232301.5 | 申请日: | 2019-02-20 |
公开(公告)号: | CN209496845U | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 王昕昀;曹紫然;贾中宇;吴龙江;林宗贤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/66 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反应腔 晶圆 连通 反应腔室 晶圆处理装置 本实用新型 第一管道 室外部 压力计 室内 中心对称分布 第二管道 基座表面 气体压力 生产效率 偏移 返工 报废 承载 概率 检测 延伸 | ||
1.一种晶圆处理装置,包括反应腔室,其特征在于,还包括:
基座,位于所述反应腔室内,用于承载晶圆;
至少一组凹槽,位于所述基座表面,每组凹槽包括关于所述基座的中心对称分布的两个凹槽;
多条第一管道,与多个所述凹槽一一连通,且延伸至所述反应腔室外部;
第二管道,与所述反应腔室连通,用于向所述反应腔室通入气体;
多个压力计,位于所述反应腔室外部,且与多条所述第一管道一一连通,所述压力计用于检测与其连通的所述凹槽内的气体压力。
2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述基座表面仅具有一组凹槽。
3.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述基座表面具有两组凹槽。
4.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述基座包括底座以及凸设于所述底座表面的承载部;所述承载部用于承载晶圆;所述凹槽位于所述底座的边缘,且沿所述底座的径向方向延伸,所述承载部沿竖直方向上的投影位于多个所述凹槽围绕而成的区域内。
5.根据权利要求4所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述凹槽的宽度为0.2mm~1.5mm、长度为0.3cm~1cm。
6.根据权利要求4所述的晶圆处理装置,其特征在于,还包括与多个所述凹槽一一对应的多个遮挡组件;所述遮挡组件包括沿竖直方向延伸的支撑柱以及与所述支撑柱连接的盖板,所述盖板能够围绕所述支撑柱在预设范围内转动,以完全遮盖所述凹槽。
7.根据权利要求6所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述盖板为扇形。
8.根据权利要求6所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述盖板的厚度小于1mm。
9.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,还包括位于所述反应腔室外部的抽气泵,所述抽气泵连接多个所述压力计;在所述抽气泵与所述压力计之间设置有真空阀,用于控制所述压力计与所述抽气泵是否连通。
10.根据权利要求9所述的晶圆处理装置,其特征在于,还包括第三管道和旁路阀;所述第三管道的一端与所述反应腔室连通,另一端与所述抽气泵连通;所述旁路阀设置于所述第三管道中,用于控制所述反应腔室与所述抽气泵是否连通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造