[实用新型]碳化硅晶体制备装置有效
| 申请号： | 201920230199.5 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN209854283U | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 戚祖强;郭德博;刘勇;肖锦先;李海军;卢万佳;黄金平;汪志超 | 申请（专利权）人： | 深圳市奇昕科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 44343 深圳市明日今典知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王杰辉;梁悄 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型中提供一种碳化硅晶体制备装置，包括反应装置、密封组件以及供气管组件；所述密封组件形成一个真空腔室，所述反应装置设置于所述真空腔室内；所述供气管组件包括气体导入管，所述气体导入管穿过所述密封组件，并为所述反应装置提供气体。本实用新型通过供气管组件为反应装置提供气体，所述供气管组件根据反应过程中Si/C原子比提供有相应短缺元素的气体，这样既改善了晶体生长氛围中的Si/C原子比，有利于碳化硅晶体的生长，又降低了晶体的缺陷。同时，相应元素气体的供给也可使原材料得到更充分的反应，提高了原材料的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 供气管组件 反应装置 密封组件 本实用新型 气体导入管 碳化硅晶体 原子比 晶体生长 元素气体 真空腔室 制备装置 晶体的 真空腔 穿过 室内 生长 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅晶体制备装置，其特征在于，包括反应装置、密封组件以及供气管组件；/n所述密封组件内部形成有一个真空腔室，所述反应装置设置于所述真空腔室内；/n所述供气管组件包括气体导入管，所述气体导入管穿过所述密封组件，并为所述反应装置提供气体。/n
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