[实用新型]碳化硅晶体制备装置

权利要求书

1.一种碳化硅晶体制备装置，其特征在于，包括反应装置、密封组件以及供气管组件；

所述密封组件内部形成有一个真空腔室，所述反应装置设置于所述真空腔室内；

所述供气管组件包括气体导入管，所述气体导入管穿过所述密封组件，并为所述反应装置提供气体。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体制备装置，其特征在于，所述气体导入管通入所述反应装置中。

3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体制备装置，其特征在于，所述气体导入管上端设置有石墨气管；所述石墨气管为一端开口的桶状腔体；所述石墨气管在开口一端设置有外螺纹，所述石墨气管通过所述外螺纹与所述气体导入管上设置的内螺纹固定连接；所述石墨气管的侧壁上设置有漏气孔，所述气体导入管通入的气体通过所述漏气孔与原材料接触。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体制备装置，其特征在于，所述供气管组件还包括气体混合装置；所述气体混合装置与所述气体导入管一端连接，所述气体导入管另一端穿过所述密封组件。

5.根据权利要求4所述的碳化硅晶体制备装置，其特征在于，所述气体混合装置包括混气罐和多个气体管道；所述混气罐一端与所述气体导入管连接，所述混气罐另一端分别与多个所述气体管道连接。

6.根据权利要求1所述的碳化硅晶体制备装置，其特征在于，还包括加热装置；所述加热装置设置在所述密封组件外侧，且所述加热装置为所述反应装置提供热量。

7.根据权利要求1所述的碳化硅晶体制备装置，其特征在于，所述反应装置包括开口的石墨坩埚体和石墨坩埚盖；所述石墨坩埚体用于容纳反应所需原材料，所述石墨坩埚盖设置在所述石墨坩埚体的开口上；所述石墨坩埚盖上设置有石墨盖籽晶托，且所述石墨籽晶托位于所述石墨坩埚体内腔；所述石墨籽晶托上设置有籽晶，所述籽晶用于碳化硅晶体的生长。

8.根据权利要求1所述的碳化硅晶体制备装置，其特征在于，所述真空腔室内设置有保温石墨毡，所述保温石墨毡包裹在所述石墨坩埚体外侧。

9.根据权利要求1所述的碳化硅晶体制备装置，其特征在于，所述密封组件包括第一密封组件、第二密封组件以及侧壁；所述第一密封组件与所述第二密封组件和侧壁之间连接固定形成所述真空腔室，所述第一密封组件设置在所述侧壁上方，所述第二密封组件设置在所述侧壁下方；所述第一密封组件上设置有上测温孔，所述第二密封组件上设置有下测温孔。

10.根据权利要求1所述的碳化硅晶体制备装置，其特征在于，所述密封组件上设置有抽真空管道。