[发明专利]半导体纳米材料的制备方法在审
| 申请号： | 201911412187.5 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113122263A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 丘洁龙 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;H01L33/28;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张杨梅 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种半导体纳米材料的制备方法。本发明提供的制备方法，包括：将ⅡB族前驱体、ⅥA族前驱体、胺类化合物和巯基化合物溶解于水溶液中，获得前驱体溶液；ⅡB族前驱体的ⅡB族原子和胺类化合物的摩尔比为10:(10‑30)；将前驱体溶液在巯基化合物的分解温度以下进行第一加热反应，然后升温至巯基化合物的分解温度以上并继续进行第二加热反应，获得一维核壳半导体纳米材料；一维核壳半导体纳米材料包括：一维半导体纳米晶核和包覆设置于一维半导体纳米晶核表面的壳层，一维半导体纳米晶核为ⅡB‑ⅥA族半导体纳米晶，壳层的材料为ⅡB族原子的硫化物。操作简便，且由此可获得尺寸分布小、大颗粒杂质少、成膜性好的半导体纳米材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司，未经TCL集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911412187.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多年生菌草酿酒的制作工艺
- 下一篇：光源板及其制备方法和显示器
