[发明专利]半导体纳米材料的制备方法

说明书

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种半导体纳米材料的制备方法。本发明提供的制备方法，包括：将ⅡB族前驱体、ⅥA族前驱体、胺类化合物和巯基化合物溶解于水溶液中，获得前驱体溶液；ⅡB族前驱体的ⅡB族原子和胺类化合物的摩尔比为10:(10‑30)；将前驱体溶液在巯基化合物的分解温度以下进行第一加热反应，然后升温至巯基化合物的分解温度以上并继续进行第二加热反应，获得一维核壳半导体纳米材料；一维核壳半导体纳米材料包括：一维半导体纳米晶核和包覆设置于一维半导体纳米晶核表面的壳层，一维半导体纳米晶核为ⅡB‑ⅥA族半导体纳米晶，壳层的材料为ⅡB族原子的硫化物。操作简便，且由此可获得尺寸分布小、大颗粒杂质少、成膜性好的半导体纳米材料。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种半导体纳米材料的制备方法。

背景技术

由于具有激发光谱宽、发射光谱窄、发光波长可调、发光效率高等光学特性，ⅡB-ⅥA族半导体纳米晶有望取代传统的稀土掺杂氧化物发光材料，制备新型的发光二极管，并逐步应用在电视机、笔记本电脑、移动通讯设备等其他显示设备领域，成为信息时代的关键显示材料。

由于一维半导体纳米晶材料能为电子运输提供自然通道，电子在一维半导体纳米晶中传输阻力小，迁移速率快，可优化光电器件的性能。同时，一维纳米晶在成膜制备光电器件过程中，容易发生相互交叉，这使得材料的成膜性能更好，光电器件性能也得以优化。近年来，一维半导体纳米晶光电材料了受到广泛的关注。当前，研究人员尝试了多种方法制备一维半导体纳米晶，例如模板法、溶剂热法、电沉积法等，但是，现有的制备方法比较繁琐，且得到的一维半导体纳米晶尺寸分布宽，大颗粒杂质多，纯度低。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种半导体纳米材料的制备方法、半导体纳米材料、发光薄膜和显示器件。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种半导体纳米材料的制备方法，包括以下步骤：

将ⅡB族前驱体、ⅥA族前驱体、胺类化合物和巯基化合物溶解于水溶液中，获得前驱体溶液；

将所述前驱体溶液在所述巯基化合物的分解温度以下进行第一加热反应，然后升温至所述巯基化合物的分解温度以上并继续进行第二加热反应，得到所述半导体纳米材料。

本发明提供的半导体纳米材料的制备方法，通过将溶解有ⅡB族前驱体、ⅥA族前驱体、胺类化合物和巯基化合物的前驱体溶液依次进行第一加热反应和第二加热反应，并调整控制反应温度，以及调整胺类化合物的用量配比，合成了具有核壳结构的一维半导体纳米材料，工艺优化，操作简便，而且，由此得到的半导体纳米材料尺寸分布小，大颗粒杂质少，纯度高，形貌规整，成膜性好。

相应的，一种半导体纳米材料，由上述制备方法制得的，包括：ⅡB-ⅥA族半导体纳米晶和包覆设置于所述ⅡB-ⅥA族半导体纳米晶表面的ⅡB族原子的硫化物壳层。

本发明提供的由上述制备方法制得的半导体纳米材料尺寸分布小，大颗粒杂质少，纯度高，形貌规整，成膜性好。

相应的，一种发光薄膜，所述发光薄膜的材料包括：前述制备方法制得的半导体纳米材料或上述半导体纳米材料。

本发明提供的发光薄膜，其材料为上述制备方法制得的半导体纳米材料，发射光谱窄，电子迁移速率高，发光效率高。

相应的，一种显示器件，包括：发光层，所述发光层为上述发光薄膜。

本发明提供的显示器件，其发光层上述发光薄膜，可从整体上提高显示器件的发光性能。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种半导体纳米材料的制备方法的流程图；

图2为本发明实施例提供的一种显示器件的结构简图。

具体实施方式