[发明专利]集成电路及其形成方法有效
| 申请号： | 201911410619.9 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111435662B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;刘铭棋;刘世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 集成电路器件包括具有逻辑区域和存储器区域的半导体衬底，该逻辑区域和存储器区域由具有介电材料的隔离结构的隔离区域分隔开。存储器器件形成在存储器区域上并且包括位于栅极电介质上方的栅电极。伪栅极结构形成在隔离结构上。伪栅极结构具有对应于栅电极的伪栅电极层和对应于栅极电介质的伪栅极介电层。锥形侧壁结构形成在伪栅极结构的面向逻辑区域的一侧上。锥形侧壁结构在隔离结构之上间隔开，并且与伪栅电极层相邻或邻接。本发明的实施例还涉及集成电路及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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