[发明专利]用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置在审
申请号: | 201911405406.7 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113122825A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 姜勇;汪国元 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/46;C23C16/455 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 包姝晴;张静洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置,其中,所述托盘包括:托盘,可沿其中心轴转动,设有若干个基片槽,所述基片槽用于容纳待处理基片,每个所述基片槽包括远离所述中心轴的远心段、靠近所述中心轴的近心段和位于所述远心段和近心段之间的第一补偿段,所述基片槽具有槽中心,所述第一补偿段到槽中心的距离为第一距离,所述近心段到槽中心的距离为第二距离,所述第一距离大于第二距离。利用所述化学气相沉积装置有利于提高在晶圆边缘生长外延层的一致性。 | ||
搜索关键词: | 用于 化学 沉积 装置 托盘 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司,未经中微半导体设备(上海)股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911405406.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的