[发明专利]用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置

说明书

一种用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置，其中，所述托盘包括：托盘，可沿其中心轴转动，设有若干个基片槽，所述基片槽用于容纳待处理基片，每个所述基片槽包括远离所述中心轴的远心段、靠近所述中心轴的近心段和位于所述远心段和近心段之间的第一补偿段，所述基片槽具有槽中心，所述第一补偿段到槽中心的距离为第一距离，所述近心段到槽中心的距离为第二距离，所述第一距离大于第二距离。利用所述化学气相沉积装置有利于提高在晶圆边缘生长外延层的一致性。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置。

背景技术

半导体发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。发光二极管具有高效节能、绿色环保的优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用，尤其是利用大功率LED实现半导体固态照明，已成为新一代光源进入千家万户，引领人类照明史的革命。

通常，将待处理基片放置在金属有机化合物化学气相沉积(Metal OrganicChemical Vapor Deposition，MOCVD)装置的反应腔内的托盘上，MOCVD装置中的加热丝提供的热能通过托盘传导到待处理基片，同时向反应腔内通入原材料，在待处理基片表面外延生长半导体材料。基座上设有多个基片槽，每个基片槽用于容纳一个待处理基片。

在待处理基片表面外延生长半导体材料时，托盘高速旋转，待处理基片在离心力的作用下，远离托盘中心的位置易与基片槽的侧壁密切接触。由于加热丝提供的热能通过基座传导至待处理基片，因此，待处理基片与侧壁的接触区域的温度会明显高于非接触区域的温度，导致待处理基片各个区域的发光波长不一致，影响待处理基片的均匀性。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置，以提高在待处理基片表面生长外延层的一致性。

为解决上述技术问题，本发明提供一种用于化学气相沉积装置的托盘，包括：托盘，可沿其中心轴转动，设有若干个基片槽，所述基片槽用于容纳待处理基片，每个所述基片槽包括远离所述中心轴的远心段、靠近所述中心轴的近心段和位于所述远心段和近心段之间的第一补偿段，所述基片槽的近心段具有槽中心，所述第一补偿段到槽中心的距离为第一距离，所述近心段到槽中心的距离为第二距离，所述第一距离大于第二距离。

可选的，若干个所述基片槽的槽中心围成一个圆，所述圆的中心与托盘的中心重合。

可选的，若干个所述基片槽的槽中心围成多个同心圆，所述多个同心圆的中心与托盘的中心重合。

可选的，所述远心段和近心段之间所述第一补偿段的个数为1个或者多个。

可选的，所述远心段还包括第二补偿段，所述第二补偿段到槽中心的距离为第三距离，所述第三距离大于第二距离。

可选的，所述第一距离与第二距离的差为：0.1毫米～2毫米。

可选的，所述第一补偿段的深度为：0.5毫米～2毫米。

可选的，所述晶圆的尺寸包括：2寸、3寸、4寸、5寸、6寸、8寸和12寸。

可选的，所述托盘的材料包括：石墨或者碳化硅。

可选的，所述待处理基片具有缺口，所述缺口朝向远心段，且所述缺口周围的待处理基片与所述远心段接触。

相应的，本发明还提供一种化学气相沉积装置，包括：反应腔；上述托盘，位于所述反应腔内。

可选的，所述化学气相沉积装置包括：金属有机化合物化学气相沉积装置。

可选的，还包括：加热装置，用于对所述托盘加热；气体喷淋头，位于所述反应腔内，与所述托盘相对设置；气体输送装置，用于向气体喷淋头内输送反应气体。