[发明专利]一种高压大电流双向半导体开关在审
| 申请号： | 201911389519.2 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN110943731A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 彭学文;隆众军;占志华 | 申请（专利权）人： | 深圳华科信达技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/735 | 分类号： | H03K17/735;H03K17/723;H03K17/04;H03K17/00;H03K17/10;H03K17/12 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 罗炳锋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区观湖街道松*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种双向半导体开关，包括：n×m个双向晶闸管，n个双向晶闸管并联成双向晶闸管并联电路依次串连在电源HV1和电源HV2之间；可调直流电源U1、可调直流电源U2、限流电阻R1、驱动变压器T、开关管Q；限流电阻R1、驱动变压器T的源边线圈和开关管Q的D、S极分别依次串联在可调直流电源U1和可调直流电源U2的两端；驱动变压器T的m个副边线圈的两端分别接m个双向晶闸管并联电路中双向晶闸管的T1极和G极，副边线圈中同相端接双向晶闸管的T1极，开关管Q形成双向半导体开关的控制端。本发明通过多级晶闸管串联来实现高压，通过多个晶闸管并联实现大电流；通过尽可能增大触发电流、增大工作电压来保证晶闸管微秒级的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 电流 双向 半导体 开关 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳华科信达技术有限公司，未经深圳华科信达技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911389519.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
