[发明专利]一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管在审
| 申请号： | 201911382062.2 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113054143A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 郭煜林;吴龙佳;张天朔;李俊杰 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/54 | 分类号： | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;吴志益 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，所述纳米材料包括：ZnO纳米颗粒，所述ZnO纳米颗粒中掺杂有In元素和S元素。本发明提供了一种施主(In)和受主(S)共掺杂ZnO纳米颗粒的纳米材料作为器件的电子传输层材料，通过引入新的元素(In、S)取代ZnO材料中部分的Zn、O元素，形成新的化学键。通过形成新的化学键，来调节材料本征电子结构，降低氧化锌的电阻率及禁带宽度，提高其导电能力，促进电子从电子传输层进入量子点发光区域，提高电子‑空穴在器件中的复合效率，从而提升显示器件的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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