[发明专利]一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管

说明书

本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，所述纳米材料包括：ZnO纳米颗粒，所述ZnO纳米颗粒中掺杂有In元素和S元素。本发明提供了一种施主(In)和受主(S)共掺杂ZnO纳米颗粒的纳米材料作为器件的电子传输层材料，通过引入新的元素(In、S)取代ZnO材料中部分的Zn、O元素，形成新的化学键。通过形成新的化学键，来调节材料本征电子结构，降低氧化锌的电阻率及禁带宽度，提高其导电能力，促进电子从电子传输层进入量子点发光区域，提高电子‑空穴在器件中的复合效率，从而提升显示器件的效率。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管。

背景技术

为了满足日益增长的显示需求，量子点发光二极管(quantum dot light-emitting diode，QLED)应运而生。量子点(QDs)由于具有荧光峰尺寸可调，高亮度、高量子产率、高色纯度、较宽的色域、易于加工、稳定性好等优点，因此得到广泛关注。

近年来，无机半导体作为器件的电子传输层成为比较热的研究内容。氧化锌(ZnO)是一种具有直接宽带隙(3.37eV)的重要半导体，具有稳定性好、透明度高、安全无毒等优点，已成为一种常用的电子传输层材料。为了提高量子点显示器件的效率，改善ZnO电子传输层在器件中的电子传输效率成为目前研究的热点。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，旨在解决现有量子点发光二极管中ZnO电子传输层的电子传输效率不高的问题。

本发明的技术方案如下：

一种纳米材料，其中，所述纳米材料包括：ZnO纳米颗粒，所述ZnO纳米颗粒中掺杂有In元素和S元素。

一种纳米材料的制备方法，其中，包括步骤：

将锌盐、铟盐与有机溶剂混合，得到第一混合溶液；

将硫源与碱液混合，得到第二混合溶液；

将所述第一混合溶液与所述第二混合溶液混合，进行反应处理，获得所述纳米材料；

其中，所述纳米材料包括ZnO纳米颗粒，所述ZnO纳米颗粒中掺杂有In元素和S元素。

一种量子点发光二极管，包括：相对设置的阳极以及阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层。其中，形成所述电子传输层的材料包括前面描述的纳米材料或利用前面描述的制备方法制备得到的纳米材料。

有益效果：本发明提供了一种施主(In)和受主(S)共掺杂ZnO纳米颗粒的纳米材料作为器件的电子传输层材料，通过引入新的元素(In、S)取代ZnO材料中部分的Zn、O元素，形成新的化学键。通过形成新的化学键，来调节材料本征电子结构，降低氧化锌的电阻率及禁带宽度，提高其导电能力，促进电子从电子传输层进入量子点发光区域，提高电子-空穴在器件中的复合效率，从而提升显示器件的效率。

附图说明

图1为本发明实施例中提供的一种纳米材料的制备方法的流程示意图。

图2为本发明实施例中提供的一种量子点发光二极管的结构示意图。

具体实施方式

本发明提供一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供一种纳米材料，其中，所述纳米材料包括：ZnO纳米颗粒，所述ZnO纳米颗粒中掺杂有In元素和S元素。